A Dustbin in A.S.G.

グラフェンを理想的な表面を持った基板上に形成する事で、半導体としての性質を持たせる事が出来る事が計算によって求められました (実際に実験で使用された基板は、当然そんな理想的な表面は持っていないので、現在の技術ではまだ駄目なのですが…)

シリコンインゴットでは、半導体の微細化は限界は近付いています

三次元形成とか、従来とは違った論理回路の形成による、同じプロセスでより多くの論理回路を形成する研究やバネを使った複数の計算を一度に行う素子とかの研究も進んでいますが、製造難易度の高さや実用化の目処が立っていないのが難点になっています

現在の微細化に頼る方法での代替材料で期待されている物の一つがグラフェンなのですが、研究が始ったばかりの材料なので、これも実用化出来るかどうか不明です

そもそも、微細化の限界に達する前に、代替材料が実用化までこぎ着けられるかはビミョーなところ

微細化が進まないと、面積が増加して、新しい技術を組込む事が難しくなったり、コアの数を増やすのが厄介になったりと……

マスクを使った光学式焼付け技術や、分子のサイズを考えると、微細化にも当然限界はある訳で、現在の半導体製造には多数のハードルが立ちふさがっているんだなぁ……と

【余談】 画像は、AzDrawing で描いたラフにフィルタを適用したものです